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Publications associées (5)

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Quantum Dots Array on Ultra-Thin SOI Nanowires with Ferromagnetic Cobalt Barrier Gates for Enhanced Spin Qubit Control

Heike Riel, Pasquale Scarlino, Fabian Oppliger, Michele Ghini

In this work we propose and demonstrate the integration of ferromagnetic nanosized cobalt barrier gates in quantum dots arrays on ultra-thin fully-depleted Silicon-On-Insulator (SOI) nanowires. This innovative structure enhances both driving and addressabi ...

IEEE2023

Dopant-Induced Modifications of GaxIn(1-x)P Nanowire-Based p-n Junctions Monolithically Integrated on Si(111)

Kirsten Emilie Moselund, Anna Fontcuberta i Morral, Heike Riel, Rolf Erni, Luca Francaviglia, Nicolas Bologna

Today, silicon is the most used material in photovoltaics, with the maximum conversion efficiency getting very close to the Shockley-Queisser limit for single-junction devices. Integrating silicon with higher band-gap ternary III-V absorbers is the path to ...

2018

An innovative band-to-band tunneling analytical model and implications in compact modeling of tunneling-based devices

Mihai Adrian Ionescu, Luca De Michielis, Nilay Dagtekin, Livio Lattanzio, Luca Selmi, Arnab Biswas, Heike Riel

In this paper, an analytical band-to-band tunneling model is proposed, validated by means of drift-diffusion simulation and comparison with experimental data, implemented in Verilog-A, and finally proven with SPICE simulator through simulation of circuits ...

American Institute of Physics2013