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Giovanni Santoruvo

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Publications associées (7)

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Multi-Channel AlGaN/GaN In-Plane-Gate Field-Effect Transistors

Elison de Nazareth Matioli, Jun Ma, Giovanni Santoruvo, Catherine Erine

In this letter, we present a multi-channel in-plane-gate field effect transistor (MC-IPGFET). In the proposed device, multiple vertically stacked two-dimensional electron gases (2DEGs) are simultaneously controlled by lateral in-plane gates formed with the ...

Institute of Electrical and Electronics Engineers2020

AlGaN/GaN Nanowires: from Electron Transport to RF Applications

Giovanni Santoruvo

Gallium Nitride (GaN) and all III-Nitride compounds have revolutionized the world with the development of the blue light emitting diode (LED). In addition, GaN-based epi-structures, such as AlGaN/GaN, enable the fabrication of high electron mobility transi ...

EPFL2020

Nanoplasma-enabled picosecond switches for ultrafast electronics

Elison de Nazareth Matioli, Giovanni Santoruvo, Minghua Zhu, Armin Jafari, Palliyage Srilak Nirmana Perera, Mohammad Samizadeh Nikooytabalvandani

The broad applications of ultrawide-band signals and terahertz waves in quantum measurements, imaging and sensing techniques, advanced biological treatments, and very-high-data-rate communications have drawn extensive attention to ultrafast electronics. In ...

2020